BSZ088N03LSG

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP

内部编号

生产厂商

数量:7141

最小起订金额:￥￦600
新加坡
当天发货，5-8个工作日送达.

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规格书
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1700pF @ 15V
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Power - Max	35W
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8 mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
包装	8TSDSON EP
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	30 V
最大连续漏极电流	12 A
RDS -于	8.8@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	3.3 ns
典型上升时间	2.8 ns
典型关闭延迟时间	15 ns
典型下降时间	2.6 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel

型号	厂家	产品描述
BSZ088N03LSGATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP
BSZ088N03LS G	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 3 N-CH 30V 40A 8.8mOhms
BSZ088N03MS G	Infineon Technologies	MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES
BSZ088N03MSG	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON
BSZ088N03MSGATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP

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